2010年12月17日星期五

同期ランダムアクセスメモリ

DDR SDRAMのか、ダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリは、Dell Inspiron Mini 9 バッテリー メモリのクラス集積回路のコンピュータで使用されます。これは、上のデータを転送することによって上記のシングルデータレートSDRAMよりも大きい帯域幅を実現し、クロック信号(ダブルポンプ)の立ち上がりと立ち下がり。効果的に、それはほぼフロントサイドバスの周波数を増加させずに転送速度を2倍に。Dell Inspiron Mini 9n バッテリー したがって、100 MHzのDDRのシステムは、同等のSDR SDRAMの、


"SDRの"回顧指定されてに比べて200 MHzの効果的なクロックレートをしていますDell Vostro A90n バッテリー

データは、時間のDDR RAMの少なくとも64ビットを転送されると[mbcr xの2は× 64] / 8、それはこのような注釈転送速度を:(メモリバスのクロックレート)× 2(デュアルレート)× 64(数を与えるビット転送)/バイトのビット/ 8(番号)。したがって、100 MHzのは、DDR - SDRAMのバス周波数でDDR SDRAMの速度のMBの/ s.JEDECが設定されて1600規格のDell Inspiron Mini 10v バッテリー、最大転送速度は、2


つの部分に分かれて提供:最初の仕様をメモリチップの2番目はですメモリモジュールDell Inspiron 2200 バッテリー

についてのDDR2
電子工学では、ダブルデータレートが2つの同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(DDR2 SDRAMメモリ)のランダムアクセスメモリ技術のコンピュータまたはその他のデジタル電子機器の作業データの高速保存に使用されます。Dell Vostro 1200バッテリー これは、SDRAM(同期ダイナミックランダムアクセスメモリ)が多くのDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリである技術の家族の一部)の実装であり


、その前身は、DDR SDRAMはDell Latitude D430バッテリー(ダブルデータレートで進化改善されて同期ランダムアクセスメモリ)ダイナミック。

その主な利点は、2回が含まれてメモリセルの速度、したがって高速バスの速度およびそれ以前の技術よりも高いピークスループットを可能にするには、バスを実行することです。これはDell Inspiron 630Mバッテリー 高い遅延のコストで実現されます。

クロック信号を使用した外部データバスとの動作を同期するために活性化されるメモリセル内のすべてのSDRAMの実装と同様に、DDR2格納メモリ。のDDRと同様にその前には、HP Pavilion dv6バッテリーDDR2の細胞が両方でデータを転送するとクロックの立ち下がりエッジ立ち上がり(技術はポンプの2倍と呼ばれる)。


DDRとDDR2の主な違いは、DDR2のバスが2倍のメモリセルの高速なので、データの4つの単語はSony VGP-BPS2 バッテリー、メモリセルの1サイクル当たりに転送することができますでクロックです。したがって、自分自身をメモリセルのスピードアップなく、DDR2は効果的に2倍のDDRバス速度で動作することができます。
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